Белые светодиоды GaN-на-Si нового поколения

Компания Toshiba Electronics Europe анонсировала первые устройства, относящиеся ко второму поколению выпускаемых компанией светодиодов белого свечения LETERAS, изготавливаемых по технологии «нитрид галлия на кремнии» (GaN-на-Si). Светодиоды TL1F2 мощностью 1 Вт являются экономичной альтернативой существующим светодиодным устройствам и позволяют снизить затраты производителям светодиодного освещения общего и промышленного назначения. Высокоэффективные белые светодиоды ранее изготавливались на дорогостоящих сапфировых подложках относительно небольшого размера — 100 или 150 мм. В качестве ...