Компания Cree занимает передовые позиции на рынке полупровод­никовых приборов. До определенного времени основные достижения освоенной и усовершенствованной технологии эпитаксии широкозонных полупроводниковых материалов на подложке из карбида кремния (SiC) были востребованы, в основном, в производстве мощных быстродействующих активных элементов. Однако активное освоение компанией эпитаксии нитри...