Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors — технология, продукты, перспективы

В статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов на кремниевых подложках, отрабатываемая в последнее время компанией Plessey Semiconductor Ltd. Приведен краткий обзор светодиодных кристаллов на основе указанных гетероструктур, недавно представленных компанией на рынок, а также описывается новое направлениt работы, которое уже в ближ...