Подписка на новости

Опрос

Какие лампы Вы используете для домашнего освещения?

Реклама

Все статьи автора

Структурированные светодиодные подложки GaN/сапфир

В светодиодной промышленности широко используются пленки нитрида галлия (GaN), выращенные в специальном реакторе методами газофазной эпитаксии на подложке из сапфира. Уменьшение термических напряжений, возникающих в структурах GaN/сапфир, является важной задачей для получения качественных подложек и последующего производства высокоэффективных светодиодов.
Данная статья рассказывает о подходах к решению этой проблемы.

Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии

Хорошо известно, что в современные технологии для производства твердотельных светодиодов (Light Emitting Diodes, LEDs), основанных на нитридах металлов III группы Периодической системы химических элементов Менделеева, обязательно входит подготовка пластин нитрида галлия (GaN). Такие пластины, как правило, производятся на подложках из других материалов, что приводит к значительному рассогласованию в постоянных кристаллических решеток слоя GaN и чужеродной подложки. Наиболее часто используются подложки из сапфира или карбида кремния.