Подписка на новости

Опрос

Какие лампы Вы используете для домашнего освещения?

Реклама

Все статьи автора

Структурированные светодиодные подложки GaN/сапфир

В светодиодной промышленности широко используются пленки нитрида галлия (GaN), выращенные в специальном реакторе методами газофазной эпитаксии на подложке из сапфира. Уменьшение термических напряжений, возникающих в структурах GaN/сапфир, является важной задачей для получения качественных подложек и последующего производства высокоэффективных светодиодов.
Данная статья рассказывает о подходах к решению этой проблемы.

Высококачественные подложки GaN для современной светодиодной индустрии

Хорошо известно, что в современные технологии для производства твердотельных светодиодов (Light Emitting Diodes, LEDs), основанных на нитридах металлов III группы Периодической системы химических элементов Менделеева, обязательно входит подготовка пластин нитрида галлия (GaN). Такие пластины, как правило, производятся на подложках из других материалов, что приводит к значительному рассогласованию в постоянных кристаллических решеток слоя GaN и чужеродной подложки. Наиболее часто используются подложки из сапфира или карбида кремния.

Направления конкурентной борьбы на светодиодном рынке

Светодиоды обретают все большую популярность в повседневной жизни. В настоящее время наиболее активно они применяются в автомобилестроении, мобильных устройствах (сотовые телефоны, фотоаппараты, лэптопы и т. д.) и различных дисплеях (мониторы компьютеров, телевизоров, ноутбуков). К сожалению, российские производители в этих отраслях либо вовсе отсутствуют, либо их товар не имеет конкурентных преимуществ по сравнению с мировыми аналогами. Как следствие, единственным сектором для активного внедрения светодиодов в России становится рынок осветительной техники.