В светодиодной промышленности широко используются пленки нитрида галлия (GaN), выращенные в специальном реакторе методами газофазной эпитаксии на подложке из сапфира. Уменьшение термических напряжений, возникающих в структурах GaN/сапфир, является важной задачей для получения качественных подложек и последующего производства высокоэффективных светодиодов.Данная статья рассказывает о подхо...

Хорошо известно, что в современные технологии для производства твердотельных светодиодов (Light Emitting Diodes, LEDs), основанных на нитридах металлов III группы Периодической системы химических элементов Менделеева, обязательно входит подготовка пластин нитрида галлия (GaN). Такие пластины, как правило, производятся на подложках из других материалов, что приводит к значительному рассогласован...