В статье представлен способ определения внутренней квантовой эффективности InGaN-светодиодов по результатам измерений ватт-амперной характеристики. Способ основан на ABC-модели рекомбинации носителей заряда в InGaN/GaN-гетероструктуре и заключается в измерении ватт-амперной характеристики светодиода в диапазоне от микротоков до номинального рабочего тока, определении тока, при котором достигает...