Влияние локализации тепловыделения на тепловое сопротивление мощных полупроводниковых источников света

В статье приводятся результаты измерения теплового сопротивления мощных полупроводниковых светодиодов (СД) синего и белого цвета. Показано, что тепловое сопротивление СД определяется не только геометрическими и теплофизическими характеристиками кристалла и корпуса, но и локализацией распределения плотности тока в кристалле, а также тепловыделением в люминофоре.

Контроль теплового режима кристаллов в светодиодных лампах

Приведена оценка методов контроля теплового режима кристаллов полупроводниковых светодиодов в типовой конструкции лампы синего и белого цвета. Показано, что наиболее корректным является бесконтактное измерение рабочей температуры p-n-перехода кристаллов оптическим методом, путем контроля температурного смещения максимума спектра излучения или по изменению ширины полосы излучения на уровне 0,5 о...