Белые светодиоды GaN-на-Si нового поколения

Компания Toshiba Electronics Europe анонсировала первые устройства, относящиеся ко второму поколению выпускаемых компанией светодиодов белого свечения LETERAS, изготавливаемых по технологии «нитрид галлия на кремнии» (GaN-на-Si). Светодиоды TL1F2 мощностью 1 Вт являются экономичной альтернативой существующим светодиодным устройствам и позволяют снизить затраты производителям светодиодного освещения общего и промышленного назначения.

Высокоэффективные белые светодиоды ранее изготавливались на дорогостоящих сапфировых подложках относительно небольшого размера — 100 или 150 мм. В качестве альтернативы компания Toshiba разработала технологию светодиодов на основе нитрида галлия (GaN), которые можно производить, используя более доступные по цене кремниевые подложки размером 200 мм. Замена дорогостоящих сапфировых подложек более доступными кремниевыми приводит к снижению затрат и позволяет использовать существующее производство изделий из кремния.

Светоотдача TL1F2 выше, чем у серии TL1F1, благодаря оптимизации корпуса и повышению оптической выходной мощности светодиодных кристаллов на основе нитрида галлия. Серия TL1F2 имеет коррелированную цветовую температуру в полном диапазоне 2700–6500 K и минимальную светоотдачу 80 и 70 соответственно. Типовой световой поток светодиодов мощностью 1 Вт находится в диапазоне 104–135  лм в зависимости от цветовой температуры и светоотдачи.

Новые устройства поставляются в стандартном корпусе 6450 размером 6,4×5,0×1,35 мм. Типовой ток возбуждения (Iв) равен 350 мА, а типовое прямое напряжение (Uп) — 2,85 В, что позволяет конструкторам снизить потребление электроэнергии системой. Диапазон рабочих температур –40…+100°C позволяет использовать серию TL1F2 и в помещениях, и снаружи в таких областях применения, как светильники, потолочное освещение, уличное освещение, фары и прожекторы заливающего света.