Osram повышает световую отдачу мощных белых и синих светодиодов на 7,5%

Нового успеха добились исследователи из компании Osram Opto Semiconductors: им удалось существенно повысить световую отдачу мощных светодиодов, уменьшив нежелательный эффект просадки КПД при больших токах за счет оптимизации технологических процессов эпитаксиального наращивания. При плотности тока 3 А/мм2 квантовый выход светодиодов теперь увеличился 7,5%.

Нежелательное снижение (просадка) КПД с повышением плотности тока ограничивает максимальную световую отдачу светодиодов на основе нитрида галлия-индия и поэтому является предметом интенсивных НИОКР во всем мире. Инженерам компании Osram Opto Semiconductors удалось существенно ослабить этот эффект, добившись значительного повышения КПД светодиодов. В лабораторных условиях при плотности тока 3 А/мм2 было надежно зафиксировано типичное значение светового потока светодиода в корпусе типа QFN (плоский четырехугольный безвыводной), равное 740 лм, что приблизительно на 7,5% выше прежнего (6200 К, Cx = 0,319, Cy = 0,323, однокристальная версия LDxyz). Даже при низкой плотности тока — 0,35 А/мм2 — выигрыш в КПД у оптимизированных светодиодов составляет около 4%. По словам д-ра Александра Фрея (Alexander Frey), руководителя проектов в Osram Opto Semiconductors, компании удалось существенно ослабить эффект просадки КПД за счет всестороннего пересмотра и усовершенствования процессов эпитаксиального выращивания.

Новые процессы применяются компанией при производстве всех светодиодов с кристаллами на базе технологии UX:3, а в дальнейшем с их помощью предполагается улучшить характеристики и других мощных светодиодов. Результаты этой работы будут поэтапно распространяться на имеющийся ассортимент продукции.