Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors — технология, продукты, перспективы

В статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов на кремниевых подложках, отрабатываемая в последнее время компанией Plessey Semiconductor Ltd. Приведен краткий обзор светодиодных кристаллов на основе указанных гетероструктур, недавно представленных компанией на рынок, а также описывается новое направлениt работы, которое уже в ближ...

Обзор развития технологии полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN)

В настоящей статье приводится исторический обзор исследовательских работ по нитриду галлия (GaN), являющемуся в настоящий момент основой для производства полупроводниковых источников света в коротковолновой — синей и зеленой — области спектра и для производства белых светодиодов, которые являются базовыми для производства светотехнических устройств. Также отмечено, что GaN, будучи широкозонным ...