Стенд контроля параметров драйверов светодиодных светильников

Стандартное измерительное оборудование для проверки в автоматическом режиме как общей работоспособности драйвера, так и контроля гарантируемых производителем параметров во всем диапазоне входных напряжений и выходных токов в настоящее время отсутствует. Производители драйверов вынуждены проводить финишный контроль качества продукции в меру своих индивидуальных возможностей, зачастую жертвуя пол...

Тестовая лаборатория Edison Opto

Edison Opto, лидирующий тайваньский производитель светодиодной продукции, специализируется на разработке и производстве светодиодов высокой мощности. Чтобы удовлетворить высоким требованиям потребителей к качеству продукции, компания учредила лабораторию LM-80, которая сер-тифицирована Underwriters Laboratories (UL) и US Environmental Protection Agency (EPA) для проведения тестов IES LM-80...

Комплексы для оперативного измерения характеристик СИД

В статье обсуждаются некоторые тонкости создания приборов для измерения пространственных световых параметров и характеристик СИД на предприятии ООО «НТП «ТКА».

Определение температуры p-n-перехода в светодиодных кластерах и одиночных светодиодах

Имеется ряд соображений, которые вынуждают специально задумываться о корректном измерении температуры именно p-n-перехода, поскольку в основном эта температура и определяет, насколько долгоживущей окажется применяемая конструкция по сравнению с другими при прочих равных условиях. На сегодняшний момент, по-видимому, наиболее точным и адекватным следует считать способ измерения температуры p-n-пе...

Измеряем… Как и почему?

Данная статья — не заметки критика и отнюдь не практическое руководство. Это приглашение молодым специалистам-светотехникам взглянуть через призму современного уровня технического развития на сложившиеся в течение прошлого века методики и критерии оценки некоторых весьма важных для практики светотехнических параметров.

Повышение точности измерения и представления малых уровней освещенности

В статье описаны методика и способы повышения точности измерения и представления малых уровней освещенности при разработке энергосберегающих режимов эксплуатации светодиодных светильников, питаемых от гальванических батарей, с помощью люксметров типа ТКА-ПКМ, Аргус и др.

Электронные нагрузки АКИП с режимом тестирования LED-драйверов

В настоящее время большое внимание уделяется вопросам технической аттестации обширного парка самых разнообразных источников питания, как уже включенных в Госреестр средств измерений, так и вновь разрабатываемых моделей. В геометрической прогрессии увеличивается предложение по номенклатуре изделий на рынке полупроводниковых компонентов, в том числе для светодиодной индикации и освещения, что тре...

Интернациональная физика и отечественная лирика современной метрологии света

В статье обсуждаются способы измерений силы света и ее пространственного распределения — самых важных и основополагающих светотехнических единиц. Показаны преимущества и недостатки основных и наиболее распространенных методик и средств измерений, потенциальные возможности повышения их точности и ограничения применения. Рассмотрены физические основы фотометрирования при использовании различных м...

Жизнь после жизни: TM-21 предсказывает

В представленном недавно Обществом инженеров-светотехников США документе TM-21 описывается метод оценки снижения светового потока светодиодов, позволяющий проводить экстраполяцию срока их службы за пределы 6000 ч, рассказывает занимающийся разработкой стандартов для программы твердотельного освещения Эрик Ричман (Eric Richman), главный инженер отдела исследований Тихоокеанской северо-запад...

Актуальность изучения и необходимость совершенствования методик исследования деградации параметров светодиодов на основе твердых растворов AlGaInP и AlGaInN

В статье рассматривается важность разработки методик измерения базовых светотехнических и электрических характеристик светодиодов на основе закономерностей изменения параметров в процессе деградации электрических и излучающих свойств светодиодов с различной конструкцией кристаллов, изготовленных из эпитаксиальных гетероструктур твердых растворов AlGaInP и AlGaInN, и разработка методик производс...