Влияние локализации тепловыделения на тепловое сопротивление мощных полупроводниковых источников света

№ 3(23)’2013
PDF версия
В статье приводятся результаты измерения теплового сопротивления мощных полупроводниковых светодиодов (СД) синего и белого цвета. Показано, что тепловое сопротивление СД определяется не только геометрическими и теплофизическими характеристиками кристалла и корпуса, но и локализацией распределения плотности тока в кристалле, а также тепловыделением в люминофоре.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Полупроводниковая светотехника» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.

Литература
  1. Луценко Е. Температура перегрева активной области коммерческих светодиодов // Полупроводниковая светотехника. 2011. № 2.
  2. Дохтуров В. В., Смирнов С. В. Контроль теплового режима кристаллов в светодиодных лампах // Полупроводниковая светотехника. 2012. № 5.
  3. Смирнов С. В., Саврук Е. В., Гончарова Ю. С. Температурная зависимость спектров излучения светодиодов белого свечения на основе нитрида галлия и его твердых растворов// Доклады ТУСУР. 2011. № 2(24).
  4. Сергеев В. А., Ходаков А. Н. Расчет и анализ распределения плотности тока и температуры по площади структуры InGaN-GaN мощных светодиодов // ФТП. 2010. Вып. 2.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *