Полупроводниковые излучатели для средней и дальней ИК-области спектра
В настоящее время проявился существенный интерес к созданию полупроводниковых излучателей, работающих в средней (1,5–20,0 мкм) и дальней (20–1000 мкм) ИК-области спектра. Эти излучатели применяют в спектроскопии высокого разрешения, для мониторинга атмосферы, диагностики состояния нефте- и газопроводов, контроля последствий аварий на производстве, анализа дыхания пациента, диагностирования опухолей и ожогов, а также в хирургии, офтальмологии, тепловидении с повышенными возможностями, беспроводной оптической связи, ИК целеуказания, интроскопии и при досмотре багажа, в криминалистике, для оптического гетеродинирования и др. [1]. Для выполнения перечисленных выше задач необходимы эффективные полупроводниковые ИК-излучатели — светодиоды (СД) и лазерные диоды (ЛД). Рассмотрим достижения в области создания подобных излучателей.
Компания ООО «АИБИ» разработала ИК СД и ЛД [2]. В сотрудничестве с лабораторией ИК оптоэлектроники ФТИ им. А. Ф. Иоффе эта компания создала целый ряд высокоэффективных светодиодов, работающих в области спектра 1,6–5,0 мкм [2]. Их внешний вид представлен на рис. 1.
Определение состава и концентрации вещества является неотъемлемой частью многих технологических процессов в промышленности и широко применяется в химических, биологических, геологических, космических исследованиях, в сельском хозяйстве, медицине, криминалистике и других областях. Коллектив ООО «АИБИ» в сотрудничестве с лабораторией ИК оптоэлектроники создал также целый ряд высокоэффективных светодиодов, полностью перекрывающих спектральный диапазон 0,7–5,0 мкм. Как известно, в данной области среднего ИК-диапазона находятся линии поглощения паров воды, углекислого газа, азотсодержащих молекул (N2O, NO2, NH3), молекул углеводородов (метана) и многих других неорганических и органических веществ. За последние десятилетия непрерывно растет потребность в датчиках, контролирующих концентрацию этих газов в атмосфере или при протекании разного рода технологических процессов. Другая важная область применения газоанализаторов — медицина. Анализируя химический состав выдыхаемого человеком воздуха, крови и кожных покровов, можно проводить диагностику различных болезней. Несмотря на определенный прогресс в развитии химических и адсорбционных газовых сенсоров, оптические сенсоры обладают рядом преимуществ, а именно высокой селективностью, устойчивостью к агрессивной внешней среде, высоким быстродействием [2].
СД для работы в области спектра 1,71–2,4 мкм [2] изготовлены на базе соединений GaSb, GaInAsSb, AlGaAsSb. Основные параметры этих СД представлены в табл. 1, а спектральные характеристики показаны на рис. 2 [2]. Эти СД применяются для мониторинга атмосферы, в системах связи и в медицине.
Модель |
λтип, мкм/λmin–λmax, мкм |
Δλ0,5, мкм |
Рн, мВт, при токе |
Ри, мВт, при токе Iи= 1 А |
U, В |
LED17HP LED17HP-PR LED17HP-PRW LED17HP-TEC LED17HP-TEC-PRW |
1,74/1,71–1,77 |
0,15–0,2 |
2,3–4,5 |
9–18 |
0,5–0,8 |
LED18 LED18-PR LED18-PRW LED18-TEC LED18-TEC-PRW |
1,85/1,83–1,9 |
0,1–0,2 |
0,7–1,1 |
4–6 |
0,5–1,5 |
LED19 LED19-PR LED19-PRW LED19-TEC LED19-TEC-PRW |
1,95/1,92–1,97 |
0,1–0,2 |
0,8–1,2 |
4,4–4,6 |
0,5–1,5 |
LED20 LED20-PR LED20-PRW LED20-TEC LED20-TEC-PRW |
2,05/2,02–2,07 |
0,15–0,25 |
0,8–1,2 |
4,4–6,6 |
0,5–1,0 |
LED21 LED21-PR LED21-PRW LED21-TEC LED21-TEC-PRW |
2,15/2,1–2,19 |
0,15–0,25 |
0,8–1,2 |
4,4–6,6 |
0,5–1,0 |
LED22 LED22-PR LED22-PRW LED22-TEC LED22-TEC-PRW |
2,25/2,19–2,29 |
0,15–,25 |
0,8–1,2 |
4,4–6,6 |
0,5–1,0 |
LED23 LED23-PR LED23-PRW LED23-TEC LED23-TEC-PRW |
2,35/2,3–2,39 |
0,17–0,27 |
0,6–1,0 |
4,4–5,5 |
0,5–2,5 |
Примечания. lтип — типичная длина волны; lmin — минимальная длина волны; lmax — максимальная длина волны;
Dl0,5 — полуширина спектра; Рн — мощность излучения в непрерывном режиме;Ри — мощность излучения в импульсе;
Iн — ток накачки в непрерывном режиме; Iи — импульсный ток накачки;U — напряжение питания. При работе в импульсном режиме F = 0,5 кГц, tи = 1 мс, q = 50%, ток 200 мА (F — частота, tи — длительность импульса, q — коэффициент заполнения) или F = 0,5 кГц, tи = 2 мкс, q = 0,1%, ток 1 А.
СД для работы в области спектра 2,7–4,7 мкм [2] изготовлены на базе соединений InAsSb/InAsSbP. Основные параметры этих СД представлены в табл. 2, спектральные характеристики показаны на рис. 3 [2]. Эти СД используются для построения газоанализаторов.
Модель |
λтип, мкм/λmin–λmax, мкм |
Δλ0,5, мкм |
Рн, мВт, при токе |
Ри, мВт, при токе |
U, В |
LED29 LED29-PR LED29-PRW LED29-TEC LED29-TEC-PRW |
2,84/2,8–2,9 |
0,3–0,5 |
6–40 |
30–180 |
0,7–1,2 |
LED32 LED32-PR LED32-PRW LED32-TEC LED32-TEC-PRW |
3,24/3,2–3,3 |
0,4–0,7 |
10–35 |
45–160 |
0,3–0,5 |
LED34 LED34-PR LED34-PRW LED34-TEC LED34-TEC-PRW |
3,4/3,32–3,46 |
0,4–0,6 |
25–45 |
115–200 |
0,3–0,5 |
LED34НР LED34HP-PR LED34HP-PRW LED34HP-TEC LED34HP-TEC-PRW |
3,4/3,32–3,46 |
0,3–0,5 |
45–80 |
200–360 |
0,3–0,5 |
LED36 LED36-PR LED32-PRW LED32-TEC LED32-TEC-PRW |
3,58/3,5–3,7 |
0,4–0,6 |
20–40 |
90–180 |
0,2–0,4 |
LED38 LED38-PR LED38-PRW LED38-TEC LED38-TEC-PRW |
3,75/3,7–3,85 |
0,5–0,7 |
20–40 |
90–180 |
0,5–0,8 |
LED39 LED39-PR LED39-PRW LED39-TEC LED39-TEC-PRW |
3,9/3,85–3,95 |
0,55–0,75 |
15–30 |
70–135 |
0,5–0,8 |
LED41 LED41-PR LED41-PRW LED41-TEC LED41-TEC-PRW |
4,05/3,95–4,1 |
0,7–0,75 |
15–35 |
70–160 |
0,2–0,4 |
LED43 LED43-PR LED43-PRW LED43-TEC LED43-TEC-PRW |
4,15/4,1–4,3 |
0,7–1,0 |
8–26 |
5–120 |
0,2–0,8 |
LED46 LED46-PR LED46-PRW LED46-TEC LED46-TEC-PRW |
4,6/4,4–4,66 |
0,8–1,1 |
4–12 |
20–55 |
0,3–0,8 |
ЛД этой же фирмы, работающие в области спектра 2,0–3,6 мкм, выполнены на основе соединения А3В5 и изготовлены в виде гетероструктур InAsIGaSb. Основные параметры этих ЛД представлены в табл. 3, внешний вид — на рис. 4 [2]. Эти ЛД используются в медицине и системах волоконно-оптической связи, а также для контроля содержания в атмосфере таких газов, как NH4, H2S, HCHO, CH3Cl и др., и для построения соответствующих газоанализаторов.
Модель |
λ, мкм |
Iпор, мА |
Δtраб, °С |
Δtраб, °С |
Корпус |
LD-200 |
1,994 |
60 |
20–130 |
20–150 |
TO-18-TEC |
1,9854 |
30 |
||||
2,0009 |
30 |
||||
2,0054 |
30 |
||||
LD-230 |
2,272 |
60 |
|||
2,282 |
40 |
||||
2,287 |
50 |
||||
2,289 |
30 |
||||
2,296 |
40 |
||||
LD-20W-300* |
1,98–2,04 |
1000–2000 |
20–150 |
20–170 |
TO-18, LP |
LD-23W-100* |
2,22–2,27 |
10–70 |
|||
LD-23W-200* |
2,23–2,26 |
20–100 |
|||
LD-23W-300* |
2,24–2,28 |
||||
LD-290 |
2,94 |
40 |
77–100 |
77–150 |
LA |
LD-290 |
2,94 |
60 |
|||
LD-310 |
3,13 |
90 |
|||
LD-310 |
3,18 |
60 |
|||
LD-310 |
3,195 |
70 |
|||
LD-310 |
3,16 |
70 |
|||
LD-320 |
3,23 |
70 |
|||
LD-320 |
3,21 |
40 |
|||
LD-320 |
3,255 |
60 |
|||
LD-320 |
3,25 |
50 |
|||
LD-320 |
3,25 |
60 |
|||
LD-330 |
3,30 |
100 |
|||
LD-360 |
3,59 |
60 |
|||
LD-360 |
3,56 |
100 |
Примечания. l — длина волны, Iпор — пороговый ток, Dtраб — диапазон рабочих температур, * — F = 8 кГц, tи = 62 мкс, q = 50% или F = 8 кГц, tи = 2 мкс, q = 0,1%.
ИК-светодиоды серии ИП151А производства ОАО НИИ «Гириконд» [3] представляют собой активную структуру на основе твердого раствора PbSePCdSe c накачкой излучением GaAs-светодиода. На входе изделия устанавливается узкополосный интерференционный фильтр на кремниевой основе с многослойным оптическим покрытием, выполняющим одновременно роль защитного окна. Полуширина спектра фильтра для области спектра 2,5–5,0 мкм может составлять от 40 нм до 200–300 нм при пропускании в максимуме не менее 70%. Светодиоды монтируются в корпусе КТ-2 и работают от напряжения, равного 10 В, имеют рабочий ток при непрерывном режиме, составляющий 0,1 А, рабочий ток в импульсном режиме работы — 2 А, tи = 100 мкс, при q = 200, время нарастания и спада импульса 10 мкс [3]. Остальные параметры светодиодов серии ИП151 представлены в табл. 4 [3].
Наименование параметра |
ИК151А-а |
ИК151А-б |
ИК151А-в |
ИК151А-г |
ИК151А-д |
Рабочая длина волны, мкм |
4,1 |
3,6 |
3,4 |
3,2 |
3,0 |
Полуширина спектра, мкм |
0,8 |
0,7 |
0,5 |
0,5 |
0,5 |
Мощность излучения в непрерывном режиме, мВт |
0,06 |
0,1 |
0,16 |
0,16 |
0,16 |
Мощность излучения в импульсном режиме, мВТ |
0,6 |
1,0 |
1,2 |
1,2 |
1,2 |
В средней ИК-области спектра работают перестраиваемые по частоте полупроводниковые лазеры на модах шепчущей галереи (whispering gallery modes — WGM) [4]. Это своеобразное название было использовано для обозначения собственных мод дисковых резонаторов. В ФТП им. А.Ф. Иоффе были созданы и исследованы полупроводниковые дисковые лазеры (ПДЛ) на основе квантово-размерной гетероструктуры, содержащей две квантовые ямы GaInAsSb/AlGaAsSb шириной 100 ангстрем для спектрального рабочего диапазона 2,0–2,4 мкм. В процессе работы лазера (в непрерывном режиме при комнатной температуре) наблюдалась сверхбыстрая перестройка длины волны от 2,240 до 2,275 мкм. Такие WGM-лазеры могут быть использованы в спектрометрах.
Известно, что лазеры с вертикальным выводом излучения (VCSEL) широко используются для работы в видимой и ближней ИК-области спектра. При создании ЛД для средней ИК-области спектра перспективными являются полупроводники группы АIVВVI, которые, в частности, обладают высоким оптическим контрастом [5]. В Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН были разработаны ЛД, предназначенные для работы при температуре, близкой к азотной, в средней ИК-области спектра. При изменении температуры в пределах 15–20 К диапазон температурной перестройки частоты излучения ЛД составляет примерно 15 см–1. ЛД работали в непрерывном одномодовом режиме при оптической накачке в диапазоне длин волн около 4–5 мкм.Для применения в спектроскопии и медицине, а также для контроля за состоянием окружающей среды могут быть использованы лазеры на легированных переходными металлами на кристаллах АIIВVI, работающие в средней ИК-области спектра. Для накачки кристаллов можно использовать мощные ПДЛ. Впервые в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН была получена генерация излучения в активной среде на основе Cr:+2CdSe при накачке излучением ПДЛ [6]. Была достигнута мощность излучения в непрерывном режиме 3,2 Вт на длине волны 2,6 мкм при дифференциальной эффективности 55,4%.
Наибольший интерес вызывают квантово-каскадные лазеры (ККЛ) [7–11]. ККЛ представляет собой ЛД, излучающий в ближнем и дальнем инфракрасном диапазоне. В отличие от обычных полупроводниковых ЛД, которые излучают электромагнитные волны посредством рекомбинации электронно-дырочных пар, преодолевающих запрещенную зону полупроводника, излучение ККЛ возникает при переходе электронов между слоями гетероструктуры полупроводника. Оно состоит из двух типов лучей, причем вторичный луч обладает весьма необычными свойствами и не требует больших затрат энергии. ККЛ обычно работают при комнатной температуре в непрерывном и в импульсном режиме. Усредненные по времени выходные мощности обычно составляют несколько милливатт, что соответствует пиковым значениям мощности в импульсе в несколько сотен милливатт.
Стандартный монтаж — транзисторный корпус ТО-5 и ТО-8, а также на открытом теплоотводе (корпус С-mount). Кроме того, по желанию заказчика могут быть выполнены другие варианты монтажа ККЛ. ЛД данного типа могут быть использованы для наблюдения за уровнем загрязнения атмосферы, в охранных системах, а также в медицине, поскольку с его помощью потенциально возможно качественно и количественно определять содержание в тканях человека сложных химических соединений [7–11]. В табл. 5–7 [8, 9, 12] приведены параметры нескольких типичных ККЛ.
Внешний вид типичных ККЛ представлен на рис. 5, 6, а типичная спектральная характеристика ККЛ показана на рис. 7.
Модель |
λ, мкм |
Мощность излучения в импульсе, Вт |
Δtраб, °С |
FNPL-200S-5200-DFB |
5,2 |
200 |
×20…+50 |
FNPL-100S-10300-DFB |
10,3 |
100 |
×20…+50 |
FNPL-3S-10800-DFB |
10,3 |
3 |
0…+30 |
FNPL-10S-12500-DFB |
12,5 |
10 |
0…+30 |
FNPL-80S-13400-DFB |
13,4 |
80 |
20…+50 |
Модель |
Возможная рабочая длина волны, мкм |
Мощность излучения, мВт |
Δtраб, °С |
RT-P-DFB |
4–12 |
>1 |
–30…+30 |
LN2-CW-DFB |
4–10 |
2–100 |
80…150 К |
RT-P-FP |
4–20 |
100 |
–30…+30 |
Примечание. Ток накачки в непрерывном режиме составляет 0,3–2,0 А, в импульсном — 1–4 А, рабочее напряжение равно 8–10 В, а срок службы — до 5 лет.
Модель |
Режим работы |
λ, мкм |
Δλ, см–1 |
Диапазон перестройки длины волны, см–1 |
Мощность излучения, мВт |
Размеры ККЛ, мм |
Δtраб, °С |
L12004-2190H-C |
Непрерывный |
4,57 |
0,2 |
±1 |
20 |
44,5×31,8×17,8 |
+10…+50 |
L21005-1900H-C |
5,26 |
||||||
L12006-1631H-C |
6.13 |
||||||
L12007-1294H-C |
7,73 |
||||||
L12014-22315-C |
Импульсный |
4,48 |
±1 |
1,5 |
50 |
Ø15,3×23,8 |
+10…+50 |
L12015-1901T-C |
5,26 |
||||||
L12016-1630T-C |
6,13 |
||||||
L12017-1278-C |
7,82 |
Примечания. ККЛ работают при комнатной температуре. При работе ККЛ в импульсном режиме F = 200 кГц, tи = 10 нс при рабочей температуре 20 °С.
Второй луч в ККЛ реабсорбирует (т. е. поглощает) только 10% выпущенных фотонов по сравнению с первым. Это определяет высокую эффективность ККЛ, особенно при высоких рабочих температурах. Благодаря этому возможна генерация в ККЛ длинноволнового ИК излучения при высоких температурах [7, 8]. Рабочая температура ККЛ значительно превышает комнатную, доходя до 400 К, а характеристическая температура может достигать 500 К [9]. В области спектра 4–5 мкм ККЛ генерируют особенно большую мощность излучения, достигающую 5 Вт в непрерывном и 120 Вт в импульсном режиме при 300 К. При работе в непрерывном режиме ККЛ при температуре 80 К генерируют мощность излучения 7,3 Вт на длине волны 4,6 мкм при КПД, равном 30%. Для одномодовых ККЛ типичная мощность излучения составляет примерно 0,1 Вт, хотя в отдельных случаях она может быть и на порядок выше. КПД «от розетки» ККЛ с большим числом каскадов при низких температурах может превышать 50% [9].
ККЛ могут работать в области спектра 2,7–300,0 мкм [10, 11]. При этом ККЛ на основе AlInAs/GaInAs излучают в области спектра 3,6–100,0 мкм, а ККЛ на основе Si/SiGe — в области спектра 7,5–9,5 мкм. Рабочая область спектра ККЛ на основе GaAs/AlGaAs простирается в диапазоне 8–300 мкм.
ККЛ прочно заняли нишу компактных когерентных перестраиваемых источников излучения терагерцового диапазона, работающих в дальней ИК-области спектра. Прецизионное регулирование таких параметров, как толщина и уровень легирования слоев, позволяет создать ККЛ с новыми функциональными возможностями и улучшенными характеристиками [9]. Конкретными примерами терагерцовых ККЛ могут служить некоторые их образцы [9], излучающие:
- на длине волны 60–250 мкм с частотой 1,2–5,0 ТГц при рабочей температуре 5–200 К при мощности излучения 8–56 мВт;
- на длине волны 70 мкм с частотой 4,7 ТГц при рабочей температуре 5–200 К и при той же мощности излучения;
- на длине волны 60–250 мкм с частотой 3 ТГц при рабочей температуре 5–200 К при мощности излучения 8–56 мВт;
- на длине волны 75–300 мкм с частотой 1–4 ТГц при рабочей температуре 4–20 К при мощности излучения 0,02–1,30 мВт.
Таким образом, для указанных выше применений существует достаточно большое количество разнообразных СД и ЛД, работающих в средней и дальней ИК-области спектра
- Андронов А.А., Захаров Н.Г., Маругин А.В., Савикин А.П. Новые источники и приемники ИК и терагерцового диапазона. — Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, 2007. www.unn.ru>pages/issues/aias/2007/27.pdf, http://www.twipx.com/file/194988.
- Продукция компании ООО «АИБИ» (IBSG Co. Ltd). — СПб, 2013,
- Тропинина Т., Тропинин А. Полупроводниковые источники излучения для инфракрасной области спектра // Компоненты и технологии, 2008, № 11.
- Полупроводниковые лазеры: физика и технология. — СПб., 13–16 ноября 2012 г. Материалы 3-го симпозиума. Программа и тезисы докладов. ФТИ им.
А. Ф. Иоффе, СПб., 2012, с. 40. Яковлев Ю.П., Шерстнев В.Р., Монахов А.М. и др. Перестраиваемые по частоте полупроводниковые лазеры на модах шепчущей галереи. - Там же, с. 51. Пашкеев Д.А., Селиванов Ю.Г., Засавицкий И.И. Лазеры с вертикальным выводом излучения (l ~ 4–5 мкм) на основе PBEUTE/EUTE.
- Там же, с. 72. Козловский В.И., Коростелин Ю.В., Охотников О.Г. и др. Непрерывный лазер на кристалле CR2+CDSE с накачкой полупроводниковым дисковым лазером.
- Квантово-каскадный лазер поражает ученых своими возможностями.
- Квантово-каскадные лазерные диоды. Каталог компании «Азимут Фотоник». РФ, 2014.
- Засавицкий И. И. Рекордные характеристики квантовых каскадных лазеров. Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН. 15-й Общероссийский семинар по ДЛС. 31 октября 2012 г. — М.
- Квантово-каскадные лазеры / Пер. с англ. П. Малахова.
- Квантово-каскадные лазерные структуры. Типы сверхрешеток.
- Quantum Cascade Lasers. Каталог фирмы Нamamatsu Photonics K.K., Япония, 2014.
- Квантово-каскадные лазеры.
- Квантово-каскадные лазеры Фабри-Перо в среднем ИК-диапазоне.