Обзор развития технологии полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN)

В настоящей статье приводится исторический обзор исследовательских работ по нитриду галлия (GaN), являющемуся в настоящий момент основой для производства полупроводниковых источников света в коротковолновой — синей и зеленой — области спектра и для производства белых светодиодов, которые являются базовыми для производства светотехнических устройств. Также отмечено, что GaN, будучи широкозонным ...